YORUG‘LIK NURLOVCHI DIODLAR ISHLAB CHIQISH TEXNOLOGIYALARI

komilov, abdullajon

Al-Farg'oniy avlodlari · 2026-yil

Annotatsiya

Mazkur maqolada yorug‘lik nurlovchi diodlarni ishlab chiqarishda qo‘llaniladigan asosiy texnologiyalar tahlil qilinadi. AIII–VV turdagi yarimo‘tkazgich birikmalari asosida epitaksial qatlamlar o‘stirishning gaz fazali va suyuq fazali usullari, ularning fizik-kimyoviy jarayonlari hamda texnologik afzalliklari ko‘rib chiqiladi. Shuningdek, legirlash, ko‘p qatlamli tuzilmalar hosil qilish, dislokatsiya zichligini kamaytirish va nurlanish samaradorligini oshirish imkoniyatlari tahlil qilinadi. Tadqiqot natijalari optoelektron qurilmalar, ayniqsa, yorug‘lik nurlovchi diodlar ishlab chiqarishda samarali texnologik yechimlarni tanlashga xizmat qiladi.

Maqola ma’lumotlari
Mualliflarkomilov, abdullajon
JurnalAl-Farg'oniy avlodlari
Nashr sanasi2026-02-20
Son1
Betlar45-48
TilRus

Kalit so‘zlar

Светоизлучающий диод, соединения AIII–VV, GaAs, GaN, эпитаксия, газофазная эпитаксия, жидкофазная эпитаксия, гетероструктура, полупроводник, оптоэлектронные устройства, многослойные структуры, Yorug‘lik nurlovchi diod, AIII–VV birikmalari, GaAs, GaN, epitaksiya, gaz fazali epitaksiya, suyuq fazali epitaksiya, geterostruktura, yarimo‘tkazgich, optoelektron qurilmalar, ko‘p qatlamli tuzilmalar, Light-emitting diode, AIII–VV compounds, GaAs, GaN, epitaxy, gas-phase epitaxy, liquid-phase epitaxy, heterostructure, semiconductor, optoelectronic devices, multilayer structures

Ilmiy soha

Al-Farg'oniy avlodlari jurnalidan boshqa maqolalar

Al-Farg'oniy avlodlari — barcha maqolalar