Injection currents P-SI–N-SI1-XSNX–N+-SI1-XSNX (0X0.04)-STRUCTURES

SRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, С.З. Зайнабидинов, Х.М. Мадаминов, А.Ш. Икромов

(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали · 2021-yil

Annotatsiya

INJECTION CURRENTS P-SI–N-SI1-XSNX–N+-SI1-XSNX (0X0.04)-STRUCTURES

Maqola ma’lumotlari
MualliflarSRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, С.З. Зайнабидинов, Х.М. Мадаминов, А.Ш. Икромов
Jurnal(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали
NashriyotЯримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий- тадқиқот институти
ISSN2181-9947, 2181-1652
Nashr sanasi2021-12-30
Jild3
Son6
Betlar1-5
TilIngliz
Ilmiy sohaFizika-matematika
DOI10.37681/2181-1652-019-x-2021-6-1
Indeksga qo‘shilgan2026-09-02

Ilmiy soha

Iqtibos keltirish

APASRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, С.З. Зайнабидинов, Х.М. Мадаминов, & А.Ш. Икромов (2021). INJECTION CURRENTS P-SI–N-SI1-XSNX–N+-SI1-XSNX (0X0.04)-STRUCTURES. (2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали, 3(6), 1-5. https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-x-2021-6-1
GOST (OAK)SRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK va b. INJECTION CURRENTS P-SI–N-SI1-XSNX–N+-SI1-XSNX (0X0.04)-STRUCTURES // (2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали. – 2021. – T. 3, № 6. – P. 1-5. – DOI: 10.37681/2181-1652-019-x-2021-6-1.
MLASRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, С.З. Зайнабидинов, Х.М. Мадаминов, and А.Ш. Икромов. “INJECTION CURRENTS P-SI–N-SI1-XSNX–N+-SI1-XSNX (0X0.04)-STRUCTURES.” (2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали, 3(6), 1-5, 2021. https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-x-2021-6-1
ChicagoSRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, С.З. Зайнабидинов, Х.М. Мадаминов, and А.Ш. Икромов. “INJECTION CURRENTS P-SI–N-SI1-XSNX–N+-SI1-XSNX (0X0.04)-STRUCTURES.” (2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали, 3(6), 1-5 (2021). https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-x-2021-6-1
HarvardSRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, С.З. Зайнабидинов, Х.М. Мадаминов, and А.Ш. Икромов (2021) ‘INJECTION CURRENTS P-SI–N-SI1-XSNX–N+-SI1-XSNX (0X0.04)-STRUCTURES’, (2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали, 3(6), 1-5. https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-x-2021-6-1
BibTeX
@article{sriofphysicsofsemiconductorsandmicroelectronicsatnuuznamedaftermirzoulugbek2021,
  title = {INJECTION CURRENTS P-SI–N-SI1-XSNX–N+-SI1-XSNX (0X0.04)-STRUCTURES},
  author = {SRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK and С.З. Зайнабидинов and Х.М. Мадаминов and А.Ш. Икромов},
  journal = {(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали},
  year = {2021},
  volume = {3},
  number = {6},
  pages = {1-5},
  doi = {10.37681/2181-1652-019-x-2021-6-1},
  url = {https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-x-2021-6-1}
}

Boshqa maqola uchun iqtibos tayyorlash

(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали jurnalidan boshqa maqolalar

(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали — barcha maqolalar · 2021-yil arxivi

Fizika-matematika sohasidagi boshqa maqolalar

Fizika-matematika sohasidagi OAK jurnallari