SOME CHARACTERISTICS OF SILICON FILM STRUCTURES OBTAINED BY VACUUM DEPOSITION

Абдурахманов, Б.М., Ашуров, М.Х., Ашуров, Х.Б., Каланов, М.У., Кучканов, Ш.К., Кутлимуротов, Б.Р., Максимов, С.Е., Ниматов, С.Ж.

O‘zbekiston fizika jurnali · 2018-yil

Annotatsiya

The results of decreasing the epitaxy temperature up to 900−1100 K to produce sufficiently perfect films under vacuum deposition and by ion stimulation have been presented.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarАбдурахманов, Б.М., Ашуров, М.Х., Ашуров, Х.Б., Каланов, М.У., Кучканов, Ш.К., Кутлимуротов, Б.Р., Максимов, С.Е., Ниматов, С.Ж.
JurnalO‘zbekiston fizika jurnali
Nashr sanasi2018-05-21
Jild20
Son3
Betlar158-164
TilRus
DOI10.52304/.v20i3.86

Ilmiy soha

O‘zbekiston fizika jurnali jurnalidan boshqa maqolalar

O‘zbekiston fizika jurnali — barcha maqolalar