RADIATIONS FOR THE LIFETIME OF CHARGE CARRIERS IN SILICON DOPED WITH COPPER AND IRIDIUM

SRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, М.Ю. Ташметов, Sh. A. Makhmudov, А.Р. Рафиков, A. A. Sulaimonov, М.Ф. Жураева, Ж.С. Мирзарайимов, Ф.З. Мирзарайимова

(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали · 2021-yil

Annotatsiya

RADIATIONS FOR THE LIFETIME OF CHARGE CARRIERS IN SILICON DOPED WITH COPPER AND IRIDIUM

Maqola ma’lumotlari
MualliflarSRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, М.Ю. Ташметов, Sh. A. Makhmudov, А.Р. Рафиков, A. A. Sulaimonov, М.Ф. Жураева, Ж.С. Мирзарайимов, Ф.З. Мирзарайимова
Jurnal(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали
Nashr sanasi2021-10-30
Jild3
Son5
Betlar27-33
Tilen
DOI10.37681/2181-1652-019-x-2021-5-5

(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали jurnalidan boshqa maqolalar

(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали — barcha maqolalar