Radiations for the lifetime of charge carriers in silicon doped with copper and iridium

SRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, М.Ю. Ташметов, Sh. A. Makhmudov, А.Р. Рафиков, A. A. Sulaimonov, М.Ф. Жураева, Ж.С. Мирзарайимов, Ф.З. Мирзарайимова

(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали · 2021-yil

Annotatsiya

RADIATIONS FOR THE LIFETIME OF CHARGE CARRIERS IN SILICON DOPED WITH COPPER AND IRIDIUM

Maqola ma’lumotlari
MualliflarSRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, М.Ю. Ташметов, Sh. A. Makhmudov, А.Р. Рафиков, A. A. Sulaimonov, М.Ф. Жураева, Ж.С. Мирзарайимов, Ф.З. Мирзарайимова
Jurnal(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали
NashriyotЯримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий- тадқиқот институти
ISSN2181-9947, 2181-1652
Nashr sanasi2021-10-30
Jild3
Son5
Betlar27-33
TilIngliz
Ilmiy sohaFizika-matematika
DOI10.37681/2181-1652-019-x-2021-5-5
Indeksga qo‘shilgan2026-09-02

Ilmiy soha

Iqtibos keltirish

APASRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, М.Ю. Ташметов, Sh. A. Makhmudov, А.Р. Рафиков, A. A. Sulaimonov, М.Ф. Жураева, Ж.С. Мирзарайимов, & Ф.З. Мирзарайимова (2021). RADIATIONS FOR THE LIFETIME OF CHARGE CARRIERS IN SILICON DOPED WITH COPPER AND IRIDIUM. (2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали, 3(5), 27-33. https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-x-2021-5-5
GOST (OAK)SRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK va b. RADIATIONS FOR THE LIFETIME OF CHARGE CARRIERS IN SILICON DOPED WITH COPPER AND IRIDIUM // (2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали. – 2021. – T. 3, № 5. – P. 27-33. – DOI: 10.37681/2181-1652-019-x-2021-5-5.
MLASRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, М.Ю. Ташметов, Sh. A. Makhmudov, А.Р. Рафиков, A. A. Sulaimonov, М.Ф. Жураева, Ж.С. Мирзарайимов, and Ф.З. Мирзарайимова. “RADIATIONS FOR THE LIFETIME OF CHARGE CARRIERS IN SILICON DOPED WITH COPPER AND IRIDIUM.” (2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали, 3(5), 27-33, 2021. https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-x-2021-5-5
ChicagoSRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, М.Ю. Ташметов, Sh. A. Makhmudov, А.Р. Рафиков, A. A. Sulaimonov, М.Ф. Жураева, Ж.С. Мирзарайимов, and Ф.З. Мирзарайимова. “RADIATIONS FOR THE LIFETIME OF CHARGE CARRIERS IN SILICON DOPED WITH COPPER AND IRIDIUM.” (2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали, 3(5), 27-33 (2021). https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-x-2021-5-5
HarvardSRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, М.Ю. Ташметов, Sh. A. Makhmudov, А.Р. Рафиков, A. A. Sulaimonov, М.Ф. Жураева, Ж.С. Мирзарайимов, and Ф.З. Мирзарайимова (2021) ‘RADIATIONS FOR THE LIFETIME OF CHARGE CARRIERS IN SILICON DOPED WITH COPPER AND IRIDIUM’, (2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали, 3(5), 27-33. https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-x-2021-5-5
BibTeX
@article{sriofphysicsofsemiconductorsandmicroelectronicsatnuuznamedaftermirzoulugbek2021,
  title = {RADIATIONS FOR THE LIFETIME OF CHARGE CARRIERS IN SILICON DOPED WITH COPPER AND IRIDIUM},
  author = {SRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK and М.Ю. Ташметов and Sh. A. Makhmudov and А.Р. Рафиков and A. A. Sulaimonov and М.Ф. Жураева and Ж.С. Мирзарайимов and Ф.З. Мирзарайимова},
  journal = {(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали},
  year = {2021},
  volume = {3},
  number = {5},
  pages = {27-33},
  doi = {10.37681/2181-1652-019-x-2021-5-5},
  url = {https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-x-2021-5-5}
}

Boshqa maqola uchun iqtibos tayyorlash

(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали jurnalidan boshqa maqolalar

(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали — barcha maqolalar · 2021-yil arxivi

Fizika-matematika sohasidagi boshqa maqolalar

Fizika-matematika sohasidagi OAK jurnallari