Effect of Holmium Impurity on the Processes of Radiation Defect Formation in n-Si

SRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, Ш.Б. Утамурадова, Ж.Ж. Ҳамдамов, Д.А. Рахманов

(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали · 2021-yil

Annotatsiya

Effect of Holmium Impurity on the Processes of Radiation Defect Formation in n-Si

Maqola ma’lumotlari
MualliflarSRI OF PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND MICROELECTRONICS AT NUUZ named after MIRZO ULUGBEK, Ш.Б. Утамурадова, Ж.Ж. Ҳамдамов, Д.А. Рахманов
Jurnal(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали
Nashr sanasi2021-12-30
Jild3
Son6
Betlar5-10
Tilen
DOI10.37681/2181-1652-019-x-2021-6-2

(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали jurnalidan boshqa maqolalar

(2019) Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника журнали — barcha maqolalar