Изучены возможные механизмы локализации носителей в неоднородных дырочно-легированных купратах и металл-диэлектрик переходы (МДП) в них. Показано, что диэлектрическое состояние легированных купратов отличается от состояния моттовского диэлектрика нелегиро- ванных купратов, характеризующихся щелью переноса заряда. Неоднородности, обусловленные легирующими примесями и носителями, способствуют разделению и упорядочению зарядов в виде трехмерных (3D), насыщенных и обедненных носителями, полос (страйпов). Специфическое упорядочение заряда приводит к образованию различных сверхрешеток и энергетических зон локализованных носителей в неоднородных высокотемпературных сверхпроводящих купратах. Показано, что примесные и поляронные состояния (зоны) превращаются в металлические состояния на некоторых критических уровнях легирования. Мы используем соотношение неопределенности для получения конкретных условий для МДПов в легированных купратах. Определены пределы применимости этих МДПов в купратах. Наши результаты согласуются с существующими экспериментами на основе La и других купратов.
| Mualliflar | Dzhumanov, S., Kurbanov, U.T. |
|---|---|
| Jurnal | O‘zbekiston fizika jurnali |
| Nashr sanasi | 2019-10-21 |
| Jild | 21 |
| Son | 5 |
| Betlar | 273-279 |
| Til | Rus |
| DOI | 10.52304/.v21i5.119 |
DOI: 10.52304/.v21i5.119 · Maqolaning asl sahifasi
In the article, new version of photoreceivers of autonomous type is discussed. The electro-optical and magneto-optical properties of photoreceiver of the generator type working with light power are described. The…
The effect of preliminary temperature heating under high vacuum conditions on the distribution profiles of impurity atoms over the depth of the Ni-GaP-SnO2 (sital) system is studied. It is shown that such heating…
The influence of the impurity of erbium, lanthanum and oxygen on the processes of formation of radiation defects in silicon was studied by method of deep level transient spectroscopy. It is established that the presence…
The dependence of accuracy of temperature measurement by semiconductor sensors on stabilization factor of the current source is investigated and the results are presented. It is shown that the presence of slope of the…
In the present paper the numerical value of the critical temperature of fullerene C28 has been determined on the basis of electron-phonon interaction potential.
Different ways of C60 fullerene adsorption on surface of defect-free graphene have been studied by the methods of computer simulation within the framework of the Brenner potential. The energies of binding and distance…
Results of researches on radiation monitoring of oil and gas production enterprises of limited liability company "Gazlineftgasdobicha" (Gazli town, Uzbekistan) and JV «Uz-Kor Gas Chemical» LLC, «Ustyurt Gas and Chemical…
An efficient method of formation of the ordered fullerene C60 nanoaggregates in the volume of evaporating fullerene droplets in mixtures of two-component solvents (benzene and acetonitrile) on a flat substrate surface…
The work is devoted to study of the magnetic properties of compounds based on double vanadates of rare earth elements. It is shown that the presence of vanadium V+4 in compounds causes the paramagnetic properties. It is…
In this work, the formation of the Taylor cone in high-vacuum electrospray ionization using a static magnetic mass-spectrometer was studied. A simple vacuum electrospray ionization source was designed and combined with…