Oxide layer growth on silicon substrates: effects of temperature and surface preparation

Ashurov, X.B., Adilov, M.M., Ismatov, A.A., Rakhimov , A.A.

O‘zbekiston fizika jurnali · 2025-yil

Annotatsiya

В работе исследуется процесс роста оксидных слоев на кремниевых подложках в контролируемых температурных условиях. Кремниевые пластины окисляли в печи в течение двух часов при температуре от 300°С до 1100°С. Минимальные изменения поверхности наблюдали при температуре ниже 800°C, тогда как при температуре выше 800°C заметные изменения цвета указывали на значительные эффекты окисления. Перед оксидированием кремниевые подложки подвергали тщательной очистке ацетоном, аммиачной перекисью водорода и плавиковой кислотой (HF) с последующей промывкой деионизированной водой. Толщину оксидных слоев измеряли с помощью эллипсометрии. Кроме того, для анализа оксидных слоев использовали инфракрасную спектроскопию с преобразованием Фурье (FTIR). Для каждой температуры получены FTIR-спектры, показывающие данные по поглощению и волновому числу. В частности, мы сосредоточили внимание на оптической плотности в диапазоне от 1000 до 1300 см−1 и изучили ее зависимость от температуры. Наши результаты проливают свет на взаимосвязь между поглощением и температурой, предоставляя ценную информацию о динамике роста оксидного слоя на кремниевых подложках.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarAshurov, X.B., Adilov, M.M., Ismatov, A.A., Rakhimov , A.A.
JurnalO‘zbekiston fizika jurnali
NashriyotЎзбекистон Республикаси Фанлар академияси
ISSN1025-8817, 2181-077X
Nashr sanasi2025-01-21
Jild26
Son4
TilIngliz
Ilmiy sohaFizika-matematika
DOI10.52304/.v26i4.570
Indeksga qo‘shilgan2026-08-26

DOI: 10.52304/.v26i4.570 · Maqolaning asl sahifasi

Kalit so‘zlar

термическое оксидирование, кремниевая пластина, эллипсометрия, FTIR, thermal oxidation, silicon wafer, ellipsometry, FTIR

Ilmiy soha

Fizika-matematika

Iqtibos keltirish

APAAshurov, X.B., Adilov, M.M., Ismatov, A.A., & Rakhimov , A.A. (2025). Oxide layer growth on silicon substrates: effects of temperature and surface preparation. O‘zbekiston fizika jurnali, 26(4). https://doi.org/10.52304/.v26i4.570
GOST (OAK)Ashurov, X.B. va b. Oxide layer growth on silicon substrates: effects of temperature and surface preparation // O‘zbekiston fizika jurnali. – 2025. – T. 26, № 4. – DOI: 10.52304/.v26i4.570.
MLAAshurov, X.B., Adilov, M.M., Ismatov, A.A., and Rakhimov , A.A. “Oxide layer growth on silicon substrates: effects of temperature and surface preparation.” O‘zbekiston fizika jurnali, 26(4), 2025. https://doi.org/10.52304/.v26i4.570
ChicagoAshurov, X.B., Adilov, M.M., Ismatov, A.A., and Rakhimov , A.A. “Oxide layer growth on silicon substrates: effects of temperature and surface preparation.” O‘zbekiston fizika jurnali, 26(4) (2025). https://doi.org/10.52304/.v26i4.570
HarvardAshurov, X.B., Adilov, M.M., Ismatov, A.A., and Rakhimov , A.A (2025) ‘Oxide layer growth on silicon substrates: effects of temperature and surface preparation’, O‘zbekiston fizika jurnali, 26(4). https://doi.org/10.52304/.v26i4.570
BibTeX
@article{ashurovxb2025,
  title = {Oxide layer growth on silicon substrates: effects of temperature and surface preparation},
  author = {Ashurov, X.B. and Adilov, M.M. and Ismatov, A.A. and Rakhimov , A.A.},
  journal = {O‘zbekiston fizika jurnali},
  year = {2025},
  volume = {26},
  number = {4},
  doi = {10.52304/.v26i4.570},
  url = {https://doi.org/10.52304/.v26i4.570}
}

Boshqa maqola uchun iqtibos tayyorlash

O‘zbekiston fizika jurnali jurnalidan boshqa maqolalar

O‘zbekiston fizika jurnali — barcha maqolalar · 2025-yil arxivi

Ashurov, X.B. — boshqa maqolalari

Fizika-matematika sohasidagi boshqa maqolalar

Fizika-matematika sohasidagi OAK jurnallari