INFLUENCE OF EXTENDED DEFECTS ON THE PHOTOLUMINESCENT PROPERTIES OF ZNTE/GAAS EPITAXIAL FILMS

Sharibaev, Murat Boribaevich, Yusupov, Oralbay Nauryzbaevich, Kalandarova, Shakhnoza Kuvondikovna, Шарибаев, Мурат Борибаевич, Юсупов, Оралбай Наурызбаевич, Каландарова, Шахноза Кувондиковна, Шарибаев, Мурат Борибаевич, Юсупов, Оралбай Наурызбаевич, Каландарова, Шахноза Қувондиковна

Ilim ha’m ja’miyet · 2026-yil

Annotatsiya

In this work we report the depth inhomogeneity study of MBE grown ZnTe/(001) GaAs epilayers of different thickness by photoluminescence methods. The well profile change was calculated from PL peak energy shift. The role of GaAs diffusion and internal strain in radiation enhanced quantum-size structures degradation is discussed.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarSharibaev, Murat Boribaevich, Yusupov, Oralbay Nauryzbaevich, Kalandarova, Shakhnoza Kuvondikovna, Шарибаев, Мурат Борибаевич, Юсупов, Оралбай Наурызбаевич, Каландарова, Шахноза Кувондиковна, Шарибаев, Мурат Борибаевич, Юсупов, Оралбай Наурызбаевич, Каландарова, Шахноза Қувондиковна
JurnalIlim ha’m ja’miyet
Nashr sanasi2026-05-16
Son3-1
Betlar34-36
TilRus

Kalit so‘zlar

эпитаксиал плёнкалар, моноқатламалар, кристалл панжара, фотолюменция, фотоўйғотиш, эпитаксиальные пленки, монослой, кристаллическая решетка, фотолюминесценция, фотовозбуждение, epitaxial film, monolayer, crystal lattice, photoluminescence, photoexcitation

Ilmiy soha

Ilim ha’m ja’miyet jurnalidan boshqa maqolalar

Ilim ha’m ja’miyet — barcha maqolalar