ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-CdTe – n-CdS И p-CdTe – n-CdSe

Отажонов, Салим, Эргашев, Равшанбек, Ботиров, Қодир, Маъруфова, Умидахон, Эргашева, Лола

FarDU ilmiy xabarlari · 2026-yil

Annotatsiya

<p><em>В работе проведено исследование влияния глубоких примесных уровней на фотоэлектрические параметры плёночных гетероструктур p-CdTe/n-CdS и p-CdTe/n-CdSe. Рассмотрены механизмы формирования глубоких уровней в процессе осаждения и последующей термической обработки слоёв. Установлено, что присутствие глубоких уровней существенно влияет на процессы рекомбинации носителей заряда, уменьшает время жизни неосновных носителей и приводит к изменению спектральной чувствительности структур. Приведён анализ зависимости основных фотоэлектрических характеристик — фототока, фотонапряжения и квантового выхода — от плотности и энергетического положения глубоких уровней. Полученные результаты позволяют выработать рекомендации по оптимизации технологических параметров для создания высокоэффективных фотоэлектронных приборов и солнечных элементов на основе гетероструктур p-CdTe/n-CdS и p-CdTe/n-CdSe. Определено, глубокие примесные уровни в </em><em>CdTe</em><em> энергия активации, которых равны </em><em>E<sub>c</sub></em><em>=1,15 эВ. </em></p>

Maqola ma’lumotlari
MualliflarОтажонов, Салим, Эргашев, Равшанбек, Ботиров, Қодир, Маъруфова, Умидахон, Эргашева, Лола
JurnalFarDU ilmiy xabarlari
Nashr sanasi2026-01-23
Jild31
Son4
TilIngliz

Kalit so‘zlar

гетеропереходы, солнечные элементы, p-CdTe – n-CdS, фоточувствительность, поликристаллическая пленка, рекомбинационные центры, спектральная чувствительность., гетеропереходы, солнечные элементы, p-CdTe – n-CdS, фоточувствительность, поликристаллическая пленка, рекомбинационные центры, спектральная чувствительность.

Ilmiy soha

FarDU ilmiy xabarlari jurnalidan boshqa maqolalar

FarDU ilmiy xabarlari — barcha maqolalar