Исследование влияния глубоких уровней на фотоэлектрические параметры гетероструктур p-CdTe – n-CdS и p-CdTe – n-CdSe

Отажонов, Салим, Эргашев, Равшанбек, Ботиров, Қодир, Маъруфова, Умидахон, Эргашева, Лола

FarDU ilmiy xabarlari · 2025-yil

Annotatsiya

В работе проведено исследование влияния глубоких примесных уровней на фотоэлектрические параметры плёночных гетероструктур p-CdTe/n-CdS и p-CdTe/n-CdSe. Рассмотрены механизмы формирования глубоких уровней в процессе осаждения и последующей термической обработки слоёв. Установлено, что присутствие глубоких уровней существенно влияет на процессы рекомбинации носителей заряда, уменьшает время жизни неосновных носителей и приводит к изменению спектральной чувствительности структур. Приведён анализ зависимости основных фотоэлектрических характеристик — фототока, фотонапряжения и квантового выхода — от плотности и энергетического положения глубоких уровней. Полученные результаты позволяют выработать рекомендации по оптимизации технологических параметров для создания высокоэффективных фотоэлектронных приборов и солнечных элементов на основе гетероструктур p-CdTe/n-CdS и p-CdTe/n-CdSe. Определено, глубокие примесные уровни в CdTe энергия активации, которых равны Ec=1,15 эВ.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarОтажонов, Салим, Эргашев, Равшанбек, Ботиров, Қодир, Маъруфова, Умидахон, Эргашева, Лола
JurnalFarDU ilmiy xabarlari
NashriyotFarg‘ona davlat universiteti
ISSN2010-8419, 2181-1571
Nashr sanasi2025-12-31
Jild31
Son4
Betlar113-113
TilRus
Ilmiy sohaKimyo
Indeksga qo‘shilgan2026-09-06

Maqolaning asl sahifasi

Kalit so‘zlar

гетеропереходы, солнечные элементы, p-CdTe – n-CdS, фоточувствительность, поликристаллическая пленка, рекомбинационные центры, спектральная чувствительность., гетеропереходы, солнечные элементы, p-CdTe – n-CdS, фоточувствительность, поликристаллическая пленка, рекомбинационные центры, спектральная чувствительность.

Ilmiy soha

Kimyo

Iqtibos keltirish

APAОтажонов, Салим, Эргашев, Равшанбек, Ботиров, Қодир, Маъруфова, Умидахон, & Эргашева, Лола (2025). ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-CdTe – n-CdS И p-CdTe – n-CdSe. FarDU ilmiy xabarlari, 31(4), 113-113. https://journal.fdu.uz/main/article/1003
GOST (OAK)Отажонов, Салим va b. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-CdTe – n-CdS И p-CdTe – n-CdSe // FarDU ilmiy xabarlari. – 2025. – T. 31, № 4. – С. 113-113.
MLAОтажонов, Салим, Эргашев, Равшанбек, Ботиров, Қодир, Маъруфова, Умидахон, and Эргашева, Лола. “ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-CdTe – n-CdS И p-CdTe – n-CdSe.” FarDU ilmiy xabarlari, 31(4), 113-113, 2025. https://journal.fdu.uz/main/article/1003
ChicagoОтажонов, Салим, Эргашев, Равшанбек, Ботиров, Қодир, Маъруфова, Умидахон, and Эргашева, Лола. “ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-CdTe – n-CdS И p-CdTe – n-CdSe.” FarDU ilmiy xabarlari, 31(4), 113-113 (2025). https://journal.fdu.uz/main/article/1003
HarvardОтажонов, Салим, Эргашев, Равшанбек, Ботиров, Қодир, Маъруфова, Умидахон, and Эргашева, Лола (2025) ‘ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-CdTe – n-CdS И p-CdTe – n-CdSe’, FarDU ilmiy xabarlari, 31(4), 113-113. https://journal.fdu.uz/main/article/1003
BibTeX
@article{article2025,
  title = {ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУР p-CdTe – n-CdS И p-CdTe – n-CdSe},
  author = {Отажонов, Салим and Эргашев, Равшанбек and Ботиров, Қодир and Маъруфова, Умидахон and Эргашева, Лола},
  journal = {FarDU ilmiy xabarlari},
  year = {2025},
  volume = {31},
  number = {4},
  pages = {113-113},
  url = {https://journal.fdu.uz/main/article/1003}
}

Boshqa maqola uchun iqtibos tayyorlash

FarDU ilmiy xabarlari jurnalidan boshqa maqolalar

FarDU ilmiy xabarlari — barcha maqolalar · 2025-yil arxivi

Отажонов, Салим — boshqa maqolalari

Kimyo sohasidagi boshqa maqolalar

Kimyo sohasidagi OAK jurnallari