Band gap width of hidden NiSi2 nanocrystals created in the near-surface region of Si

Алланазар ТАШАТОВ, Ёкуб ЭРГАШОВ, Нодира МУСТАФОЕВА

Ўзбекистон Миллий университети хабарлари · 2024-yil

Annotatsiya

In this work, nanocrystalline phases and layers of NiSi2 were obtained by implantation of Ni + ions in Si in combination with annealing in the near-surface Si layer at a depth of 15-25 nm. At D = 8 ∙ 1016 cm-3, a nanofilm heterostructure of the Si/NiSi2/Si type was formed. For the first time, the band gap widths of nanocrystalline phases and NiSi2 layers formed in the near-surface region of Si have been estimated. It is shown that island films of NiSi2 are formed at thicknesses h <150 Å. The band gap of the islands and NiSi2 films practically do not differ from each other and amounted to ~ 0.6 eV, and the values of differ by several orders of magnitude

Maqola ma’lumotlari
MualliflarАлланазар ТАШАТОВ, Ёкуб ЭРГАШОВ, Нодира МУСТАФОЕВА
JurnalЎзбекистон Миллий университети хабарлари
NashriyotЎзбекистон Миллий университети
ISSN2181-7324, 3093-8996
Nashr sanasi2024-03-29
Jild3
Son3.1
Betlar508-512
TilIngliz
DOI10.69617/nuuz.v3i3.1.1944
Indeksga qo‘shilgan2026-08-27

DOI: 10.69617/nuuz.v3i3.1.1944 · Maqolaning asl sahifasi

Kalit so‘zlar

NiSi2 nanofilms, surface structure, Auger electron spectroscopy, solid-phase deposition, morphology, ultrahigh vacuum, heterostructure, band gap, scanning electron, atomic force microscopy., нанопленки NiSi2, структура поверхности, Оже-электронной спектроскопии, твердофазного осаждения, морфология, сверхвысокого вакуума, гетероструктура, ширина запрещенной зоны, растровой электронной, атомно-силовой микроскопии., NiSi2 nanofilmlari, sirt tuzilishi, Oje-elektron spektroskopiyasi, qattiq fazali cho‘kma, morfologiya, o‘ta yuqori vakuum, geterostruktura, tarmoqli bo‘shliq, skanerlovchi yelektron, atom kuchli mikroskopiya.

Iqtibos keltirish

APAАлланазар ТАШАТОВ, Ёкуб ЭРГАШОВ, & Нодира МУСТАФОЕВА (2024). BAND GAP WIDTH OF HIDDEN NiSi2 NANOCRYSTALS CREATED IN THE NEAR-SURFACE REGION OF Si. Ўзбекистон Миллий университети хабарлари, 3(3.1), 508-512. https://doi.org/10.69617/nuuz.v3i3.1.1944
GOST (OAK)Алланазар ТАШАТОВ, Ёкуб ЭРГАШОВ, Нодира МУСТАФОЕВА BAND GAP WIDTH OF HIDDEN NiSi2 NANOCRYSTALS CREATED IN THE NEAR-SURFACE REGION OF Si // Ўзбекистон Миллий университети хабарлари. – 2024. – T. 3, № 3.1. – P. 508-512. – DOI: 10.69617/nuuz.v3i3.1.1944.
MLAАлланазар ТАШАТОВ, Ёкуб ЭРГАШОВ, and Нодира МУСТАФОЕВА. “BAND GAP WIDTH OF HIDDEN NiSi2 NANOCRYSTALS CREATED IN THE NEAR-SURFACE REGION OF Si.” Ўзбекистон Миллий университети хабарлари, 3(3.1), 508-512, 2024. https://doi.org/10.69617/nuuz.v3i3.1.1944
ChicagoАлланазар ТАШАТОВ, Ёкуб ЭРГАШОВ, and Нодира МУСТАФОЕВА. “BAND GAP WIDTH OF HIDDEN NiSi2 NANOCRYSTALS CREATED IN THE NEAR-SURFACE REGION OF Si.” Ўзбекистон Миллий университети хабарлари, 3(3.1), 508-512 (2024). https://doi.org/10.69617/nuuz.v3i3.1.1944
HarvardАлланазар ТАШАТОВ, Ёкуб ЭРГАШОВ, and Нодира МУСТАФОЕВА (2024) ‘BAND GAP WIDTH OF HIDDEN NiSi2 NANOCRYSTALS CREATED IN THE NEAR-SURFACE REGION OF Si’, Ўзбекистон Миллий университети хабарлари, 3(3.1), 508-512. https://doi.org/10.69617/nuuz.v3i3.1.1944
BibTeX
@article{article2024,
  title = {BAND GAP WIDTH OF HIDDEN NiSi2 NANOCRYSTALS CREATED IN THE NEAR-SURFACE REGION OF Si},
  author = {Алланазар ТАШАТОВ and Ёкуб ЭРГАШОВ and Нодира МУСТАФОЕВА},
  journal = {Ўзбекистон Миллий университети хабарлари},
  year = {2024},
  volume = {3},
  number = {3.1},
  pages = {508-512},
  doi = {10.69617/nuuz.v3i3.1.1944},
  url = {https://doi.org/10.69617/nuuz.v3i3.1.1944}
}

Boshqa maqola uchun iqtibos tayyorlash

Ўзбекистон Миллий университети хабарлари jurnalidan boshqa maqolalar

Ўзбекистон Миллий университети хабарлари — barcha maqolalar · 2024-yil arxivi