O‘STIRISH JARAYONIDA NIKEL BILAN LEGIRLANGAN KREMNIY ELEKTR PARMETRLARINING HARORATGA STABILLIGI

Канатбай ИСМАЙЛОВ, Ерназар КОСБЕРГЕНОВ

Ўзбекистон Миллий университети хабарлари · 2024-yil

Annotatsiya

In this paper it is shown that the introduction of nickel atoms in the process of silicon crystal growth allows to obtain a material with stable electro physical parameters in the process of thermal annealing in a wide range of temperatures 450...1050 ℃ and durations (t=0.5...25 hours). This is the most cost-effective way to create a material for semiconductor devices and solar cells with stable parameters.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarКанатбай ИСМАЙЛОВ, Ерназар КОСБЕРГЕНОВ
JurnalЎзбекистон Миллий университети хабарлари
Nashr sanasi2024-03-29
Jild3
Son3.1
Betlar490-493
TilRus
DOI10.69617/nuuz.v3i3.1.1917

Kalit so‘zlar

: kremniy, termodonor, nikel, legirlash, termik barqarorlik., кремний, термодонор, никель, легирование, термостабильность., silicon, thermal donor, nickel, alloying, thermal stability.

Ilmiy soha

Ўзбекистон Миллий университети хабарлари jurnalidan boshqa maqolalar

Ўзбекистон Миллий университети хабарлари — barcha maqolalar