MODELING AND ANALYSIS OF HEAT PROCESSES IN SILICON GETEROSTRUCTURES DURING QUICK THERMAL PROCESSING

Asanov, D.J., Асанов, Д.Ж., Асанов, Д.Ж.

Ilim ha’m ja’miyet · 2026-yil

Annotatsiya

The paper presents modeling and experimental study of thermal processes in silicon-based Ni (5 at. % Pt)/Si heterostructures under rapid photon annealing. Three heat transfer regimes are analyzed: adiabatic, heat-flow, and thermal-balance. Temperature profiles show that at an energy density of 255 J/cm2 and a pulse duration of 1.8 s, the system reaches a thermal balance mode enabling uniform heating and the formation of the Ni2Si phase. Pt-doping improves thermal stability and reduces substrate deformation.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarAsanov, D.J., Асанов, Д.Ж., Асанов, Д.Ж.
JurnalIlim ha’m ja’miyet
Nashr sanasi2026-02-16
Son1-1
Betlar11-13
TilRus

Kalit so‘zlar

кремний гетероструктуралари, тезкор иссиқлик билан ишлов бериш, импульсли фотон ишлови, иссислиқ баланси, никел цилиндирлари, моделлаштириш, кремниевые гетероструктуры, быстрая термическая обработка, импульсная фотонная обработка, тепловой баланс, силициды никеля, моделирование, silicon heterostructures, rapid thermal processing, pulsed photon annealing, thermal balance, nickel silicides, modeling

Ilmiy soha

Ilim ha’m ja’miyet jurnalidan boshqa maqolalar

Ilim ha’m ja’miyet — barcha maqolalar