МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК ПЕРЕХОДЫ В ЛЕГИРОВАННЫХ ЛАНТАНОВЫХ СВЕРХПРОВОДНИКАХ С ПРИМЕСЯМИ МАЛОГО РАДИУСА

Жумабаева, Г.К.

Ilim ha’m ja’miyet · 2025-yil

Annotatsiya

The purpose of this research is to determine the criteria (i.e. conditions) for the existence of the localized states of hole carriers and solve the problem of metal-insulator transitions in La-based cuprates. We propose a new two-carrier cuprate superconductor model for studying two distinct metal-insulator transitions occurring simultaneously in hole-doped La-based cuprate compounds. We demonstrate that when hole carriers reside in impurity and polaron bands, these metal-insulator transitions in La-based superconductors with small-radius dopants occur accordingly in a wide doping range and relatively lower doping levels.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarЖумабаева, Г.К.
JurnalIlim ha’m ja’miyet
Nashr sanasi2025-12-26
Son8-1
Betlar10-13
TilRus

Kalit so‘zlar

La асосли купратлар, ковакли ташувчилар, металл/ўрта ўтказгич-диэлектрик ўтишлар, кучсиз легирланган режим, ўрта легирланган режим, ток ташувчилар концентрацияси, купраты на основе La, дырочные носители, металл/сверхпроводник-диэлектрик переходы, слаболегированный режим, сверхлегированный режим, критическая концентрация носителей, La-based cuprates, hole carriers, metal/superconductor-insulator transitions, lightly doped regime, overdoped regime, critical carrier concentration

Ilmiy soha

Ilim ha’m ja’miyet jurnalidan boshqa maqolalar

Ilim ha’m ja’miyet — barcha maqolalar