ВЛИЯНИЕ ОДНООСНОГО УПРУГОГО СЖАТИЯ НА УСЛОВИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ И ПАРАМЕТРЫ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ВОЛН В КОМПЕНСИРОВАННОМ КРЕМНИИ

Зикриллаев, Н.Ф., Сатторов, А.А., Норкулов, Н., Абдуллаева, Н.У., Ибрагимова, Б.С.

Ilim ha’m ja’miyet · 2024-yil

Annotatsiya

For the study, silicon samples were obtained, diffusion doped with impurity manganese atoms with crystal orientation ˂111˃ and ˂110˃ with different resistivity of p-type conductivity. From an analysis of the research results, it was established that uniaxial elastic compression greatly changes the amplitude and frequency of recombination waves. The physical mechanism for changing the parameters of self-oscillations of current is explained by the model of the band diagram of an inhomogeneous semiconductor material, which is formed due to the charge state of impurity manganese atoms in compensated silicon.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarЗикриллаев, Н.Ф., Сатторов, А.А., Норкулов, Н., Абдуллаева, Н.У., Ибрагимова, Б.С.
JurnalIlim ha’m ja’miyet
Nashr sanasi2024-10-29
Son5-1
Betlar36-38
TilRus

Kalit so‘zlar

кремний, диффузия, марганец, амплитуда, частота, бир ўқли босим, барик коэффициент, электрон, ковак, кремний, диффузия, марганец, амплитуда, частота, одноосное сжатие, барический коэффициент, электрон, дырка, silicon, diffusion, manganese, amplitude, frequency, uniaxial compression, pressure coefficient, electron, hole

Ilmiy soha

Ilim ha’m ja’miyet jurnalidan boshqa maqolalar

Ilim ha’m ja’miyet — barcha maqolalar