СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ОБРАБОТКА КАРБИДКРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ Au-TiBx-n-SiC 6H

Камалов, А.Б., Абдижалиев, С.К., Абдуллаева, Д.

Ilim ha’m ja’miyet · 2023-yil

Annotatsiya

In this article were presented results of investigations of high frequency influence treatment on electrophysical properties of diode structures with Schottky barrier based on silicon carbide.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarКамалов, А.Б., Абдижалиев, С.К., Абдуллаева, Д.
JurnalIlim ha’m ja’miyet
Nashr sanasi2023-05-30
Son2-1
Betlar15-16
TilRus

Kalit so‘zlar

кремний карбиди, Шоттки барьери, барьер баландлиги, ноидеаллик фактори, silicon carbide, Schottky barrier, barrier height, factor nonideality

Ilmiy soha

Ilim ha’m ja’miyet jurnalidan boshqa maqolalar

Ilim ha’m ja’miyet — barcha maqolalar