ДИФФУЗИОН ТЕХНОЛОГИЯ БИЛАН GexSi1-x АСОСИДА ГЕТЕРО ВА ВАРИЗОН СТРУКТУРА ҲОСИЛ ҚИЛИШ ВА УНИНГ ОПТИК ХУСУСИЯТЛАРИНИ ЎРГАНИШ

Зикриллаев, Н.Ф., Кушиев, Ғ.А., Турсунов, О.Б., Ҳамроқулов, Ш.И.

Ilim ha’m ja’miyet · 2022-yil

Annotatsiya

The development and creation of solar cells based on GexSi1−x hetero and graded-gap structures is also very interesting. Since the production of such structures based on GexSi1−x with certain parameters and structural allows one to significantly expand the spectral region of sensitivity and allows the creation of new types of photodetectors, sensors, and photocells.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarЗикриллаев, Н.Ф., Кушиев, Ғ.А., Турсунов, О.Б., Ҳамроқулов, Ш.И.
JurnalIlim ha’m ja’miyet
Nashr sanasi2022-03-01
Son1-1
Betlar32-33
TilO‘zbek

Kalit so‘zlar

гетеро ва воризон тузилмалари, диффузия, ҳарорат, датчик, фотоэлемент, гетеро и варизонные структуры, диффузия, температура, датчик, фотоэлемент, hetero and graded-gap structures, diffusion, temperature, sensor, photo element

Ilmiy soha

Ilim ha’m ja’miyet jurnalidan boshqa maqolalar

Ilim ha’m ja’miyet — barcha maqolalar