2D MoS2 asosidagi maydoniy tranzistorlar analog xarakteristikalariga strukturaviy parametrlar tasiri

Ro'zimatova, Sunbuloy Ravshan qizi

Қўқон ДПИ. Илмий хабарлар · 2026-yil

Annotatsiya

So‘nggi yillarda 2D MoS2 asosidagi maydoniy tranzistorlar (FETlar) o‘zining noyob elektron xususiyatlari tufayli analog ilovalar uchun katta qiziqish uyg‘otmoqda, chunki ular yuqori transkonduktans, past shovqin va yuqori chiqish qarshiligini talab qiladi. An’anaviy kremniy qurilmalarining masshtablash chegaralariga yaqinlashib borishi bilan, MoS2 FETlar simsiz aloqa, sensorlar va signalni qayta ishlash tizimlarida yuqori samarali kuchaytirgichlar va mikserlarni yaratish uchun yangi imkoniyatlar ochadi. Ushbu tadqiqotning maqsadi 2D MoS2 asosidagi maydoniy tranzistorlarning analog xarakteristikalariga strukturaviy parametrlar ta'sirini tizimli adabiyot tahlili orqali o‘rganishdir. Tadqiqot Scopus, Web of Science, Google Scholar kabi xalqaro va O‘zbekiston Fizika Jurnali kabi mahalliy ilmiy ma’lumotlar bazalarida 2020-yildan hozirgi kungacha nashr etilgan 75 ta tegishli maqolani tahlil qilishga asoslangan. Tahlil shuni ko‘rsatdiki, eshik dielektrik qatlamining qalinligi va materiali, shuningdek kanal uzunligi qurilmaning transkonduktans (gm), chiqish qarshiligi (rout) va past chastotali shovqin (LFN) kabi ko‘rsatkichlariga sezilarli ta’sir ko‘rsatadi. Xususan, atom qatlamli cho‘ktirish (ALD) usuli bilan hosil qilingan yupqa (~5 nm) Al2O3 dielektrik qatlamlari FET masshtablashini yaxshilaydi va yuqori-k HfO2 dielektriklari analog xarakteristikalarni sezilarli darajada oshiradi. Kanal uzunligini qisqartirish gm ni oshirsa-da, qisqa kanal effektlari rout ni pasaytiradi. Ushbu natijalar yuqori samarali MoS2 FETlarni analog sxemalar uchun loyihalashda strukturaviy parametrlarni optimallashtirish muhimligini takidlaydi.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarRo'zimatova, Sunbuloy Ravshan qizi
JurnalҚўқон ДПИ. Илмий хабарлар
NashriyotҚўқон давлат педагогика институти
ISSN3030-3958
Nashr sanasi2026-10-10
Jild8
Son9
Betlar254-262
TilO‘zbek
DOI10.70728/a.series.tab.v08.i09.033
Indeksga qo‘shilgan2026-10-11

DOI: 10.70728/a.series.tab.v08.i09.033 · Maqolaning asl sahifasi

Kalit so‘zlar

2D MoS2, maydoniy tranzistorlar, analog xarakteristikalar, strukturaviy parametrlar, transkonduktans, chiqish qarshiligi, past chastotali shovqin, eshik dielektrik

Iqtibos keltirish

APARo'zimatova, Sunbuloy Ravshan qizi (2026). 2D MoS2 ASOSIDAGI MAYDONIY TRANZISTORLAR ANALOG XARAKTERISTIKALARIGA STRUKTURAVIY PARAMETRLAR TASIRI. Қўқон ДПИ. Илмий хабарлар, 8(9), 254-262. https://doi.org/10.70728/a.series.tab.v08.i09.033
GOST (OAK)Ro'zimatova, Sunbuloy Ravshan qizi 2D MoS2 ASOSIDAGI MAYDONIY TRANZISTORLAR ANALOG XARAKTERISTIKALARIGA STRUKTURAVIY PARAMETRLAR TASIRI // Қўқон ДПИ. Илмий хабарлар. – 2026. – T. 8, № 9. – B. 254-262. – DOI: 10.70728/a.series.tab.v08.i09.033.
MLARo'zimatova, Sunbuloy Ravshan qizi. “2D MoS2 ASOSIDAGI MAYDONIY TRANZISTORLAR ANALOG XARAKTERISTIKALARIGA STRUKTURAVIY PARAMETRLAR TASIRI.” Қўқон ДПИ. Илмий хабарлар, 8(9), 254-262, 2026. https://doi.org/10.70728/a.series.tab.v08.i09.033
ChicagoRo'zimatova, Sunbuloy Ravshan qizi. “2D MoS2 ASOSIDAGI MAYDONIY TRANZISTORLAR ANALOG XARAKTERISTIKALARIGA STRUKTURAVIY PARAMETRLAR TASIRI.” Қўқон ДПИ. Илмий хабарлар, 8(9), 254-262 (2026). https://doi.org/10.70728/a.series.tab.v08.i09.033
HarvardRo'zimatova, Sunbuloy Ravshan qizi (2026) ‘2D MoS2 ASOSIDAGI MAYDONIY TRANZISTORLAR ANALOG XARAKTERISTIKALARIGA STRUKTURAVIY PARAMETRLAR TASIRI’, Қўқон ДПИ. Илмий хабарлар, 8(9), 254-262. https://doi.org/10.70728/a.series.tab.v08.i09.033
BibTeX
@article{rozimatovasunbuloyravshanqizi2026,
  title = {2D MoS2 ASOSIDAGI MAYDONIY TRANZISTORLAR ANALOG XARAKTERISTIKALARIGA STRUKTURAVIY PARAMETRLAR TASIRI},
  author = {Ro'zimatova, Sunbuloy Ravshan qizi},
  journal = {Қўқон ДПИ. Илмий хабарлар},
  year = {2026},
  volume = {8},
  number = {9},
  pages = {254-262},
  doi = {10.70728/a.series.tab.v08.i09.033},
  url = {https://doi.org/10.70728/a.series.tab.v08.i09.033}
}

Boshqa maqola uchun iqtibos tayyorlash

Қўқон ДПИ. Илмий хабарлар jurnalidan boshqa maqolalar

Қўқон ДПИ. Илмий хабарлар — barcha maqolalar · 2026-yil arxivi