ИЗМЕНЕНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ АТОМА ЭРБИЯ

Шарибаев, М.Б., Каландарова, Ш.К.

Ilim ha’m ja’miyet · 2025-yil

Annotatsiya

The article states that in the results of growing erbium-doped epitaxial silicon layers using two different growth modes: conventional molecular beam epitaxy (MBE) and solid-phase epitaxy (SPE) are presented. It has been shown that an erbium-doped silicon layer, when deposited by SPE on a cold substrate and after annealing, exhibits a more intense photoluminescence band at a wavelength of 1.54µm.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarШарибаев, М.Б., Каландарова, Ш.К.
JurnalIlim ha’m ja’miyet
Nashr sanasi2025-03-29
Son2-1
Betlar46-47
TilRus

Kalit so‘zlar

эпитаксиал пленкалар, легирлаш, фотолюминесценция, интенсивлик, эпитаксиальные пленки, легирование, фотолюминесценция, интенсивность, epitaxial films, doping, photoluminescence, intensity

Ilmiy soha

Ilim ha’m ja’miyet jurnalidan boshqa maqolalar

Ilim ha’m ja’miyet — barcha maqolalar