ФЕРРОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ ЛЕГИРОВАННОГО ПРИМЕСНЫМИ АТОМАМИ МАРГАНЦА ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

Исмайлов, К.А., Исмаилов, Т.Б., Оламберганов, Ш.З., Камалов, Х.У., Нурымбетова, Г.C., Сапаров, А.К., Зикриллаев, Х.Ф.

Ilim ha’m ja’miyet · 2024-yil

Annotatsiya

Studies of the magnetic properties of silicon samples doped with impurity manganese atoms in the low temperature region T=30 K revealed a ferromagnetic state with the following parameters Ms=3.41·10-3 emu/cm-3 (saturation magnetization), Mr=4.24·10-4 emu/cm-3 (residual magnetization) and Hc=158 Oe (coercive force), the possibility of using silicon samples diffusion-doped with impurity manganese atoms to create magnetic sensors and spintronic devices is shown. It has been shown that silicon samples doped with manganese impurity atoms can be considered as a new magnetic semiconductor material.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarИсмайлов, К.А., Исмаилов, Т.Б., Оламберганов, Ш.З., Камалов, Х.У., Нурымбетова, Г.C., Сапаров, А.К., Зикриллаев, Х.Ф.
JurnalIlim ha’m ja’miyet
Nashr sanasi2024-10-29
Son5-1
Betlar9-11
TilRus

Kalit so‘zlar

марганец, киришма, диффузия, нанокластер, гистерезис, manganese, impurity, diffusion, nanocluster, hysteresis loop

Ilmiy soha

Ilim ha’m ja’miyet jurnalidan boshqa maqolalar

Ilim ha’m ja’miyet — barcha maqolalar