КРЕМНИЙ КРИСТАЛЛ ПАНЖАРАСИДА НИКЕЛЬ КИРИШМА АТОМЛАРИНИНГ ГЕТТЕРЛОВЧИ ХОССАЛАРИ

Исмайлов, К.А., Камалов, Х.У., Исмайлов, Б.К.

Ilim ha’m ja’miyet · 2021-yil

Annotatsiya

This article considers that by forming clusters of impurity nickel atoms in the crystal lattice of silicon, it is possible to realize gettering of various uncontrolling impurities, as well as oxygen atoms stimulating the generation of recombination centers and thermal defects.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarИсмайлов, К.А., Камалов, Х.У., Исмайлов, Б.К.
JurnalIlim ha’m ja’miyet
Nashr sanasi2021-08-11
Son3-1
Betlar10-12
TilRus

Kalit so‘zlar

геттерланиш, кремний, никель, диффузия, рекомбинация марказлари, gettering, silicon, nickel, diffusion, recombination centers

Ilmiy soha

Ilim ha’m ja’miyet jurnalidan boshqa maqolalar

Ilim ha’m ja’miyet — barcha maqolalar