Obtaining ultrathin contacts on the surface of binary semiconductors

АБДУВАИТОВ, Акбаржон, ТАШМУХАМЕДОВА, Дилноза, БОЛТАЕВ, Хуршид, УМИРЗАКОВ, Балтоходжа

Ўзбекистон Миллий университети хабарлари · 2026-yil

Annotatsiya

For the first time, ultrathin ohmic contacts have been obtained on the surface of CdS using the method of low-energy ionbombardment. The distribution profiles of atoms of the contacting metal (nickel) over the depth of pure CdS and CdSbombarded with Ba + and Ar + ions have been studied. It is shown that ion bombardment leads to a decrease in the near-contact(transition) layer by a factor of two or more and is ~ 100 – 120 Å. At the same time, the resistivity  of this layer did notexceed 2-2.5 μΩ•cm. The decrease in the thickness of the transition layer and  is explained by the formation of a thin (30–40 Å) metal layer on the CdS surface during ion bombardment.

Maqola ma’lumotlari
MualliflarАБДУВАИТОВ, Акбаржон, ТАШМУХАМЕДОВА, Дилноза, БОЛТАЕВ, Хуршид, УМИРЗАКОВ, Балтоходжа
JurnalЎзбекистон Миллий университети хабарлари
NashriyotЎзбекистон Миллий университети
ISSN2181-7324, 3093-8996
Nashr sanasi2026-09-07
Jild3
Son3.2
Betlar376-378
TilIngliz
Ilmiy sohaFizika-matematika
Indeksga qo‘shilgan2026-09-08

Kalit so‘zlar

ohmic contact, ion bombardment, resistivity, distribution profile., омический контакт, ионная бомбардировка, удельное сопротивление, профиль распределения., omik kontakt, ion bombardimoni, solishtirma qarshilik, profil bo’yicha taqsimot.

Ilmiy soha

Iqtibos keltirish

APAАБДУВАИТОВ, Акбаржон, ТАШМУХАМЕДОВА, Дилноза, БОЛТАЕВ, Хуршид, & УМИРЗАКОВ, Балтоходжа (2026). OBTAINING ULTRATHIN CONTACTS ON THE SURFACE OF BINARY SEMICONDUCTORS. Ўзбекистон Миллий университети хабарлари, 3(3.2), 376-378. https://journals.nuu.uz/index.php/actanuuz/article/view/14800
GOST (OAK)АБДУВАИТОВ, Акбаржон va b. OBTAINING ULTRATHIN CONTACTS ON THE SURFACE OF BINARY SEMICONDUCTORS // Ўзбекистон Миллий университети хабарлари. – 2026. – T. 3, № 3.2. – P. 376-378.
MLAАБДУВАИТОВ, Акбаржон, ТАШМУХАМЕДОВА, Дилноза, БОЛТАЕВ, Хуршид, and УМИРЗАКОВ, Балтоходжа. “OBTAINING ULTRATHIN CONTACTS ON THE SURFACE OF BINARY SEMICONDUCTORS.” Ўзбекистон Миллий университети хабарлари, 3(3.2), 376-378, 2026. https://journals.nuu.uz/index.php/actanuuz/article/view/14800
ChicagoАБДУВАИТОВ, Акбаржон, ТАШМУХАМЕДОВА, Дилноза, БОЛТАЕВ, Хуршид, and УМИРЗАКОВ, Балтоходжа. “OBTAINING ULTRATHIN CONTACTS ON THE SURFACE OF BINARY SEMICONDUCTORS.” Ўзбекистон Миллий университети хабарлари, 3(3.2), 376-378 (2026). https://journals.nuu.uz/index.php/actanuuz/article/view/14800
HarvardАБДУВАИТОВ, Акбаржон, ТАШМУХАМЕДОВА, Дилноза, БОЛТАЕВ, Хуршид, and УМИРЗАКОВ, Балтоходжа (2026) ‘OBTAINING ULTRATHIN CONTACTS ON THE SURFACE OF BINARY SEMICONDUCTORS’, Ўзбекистон Миллий университети хабарлари, 3(3.2), 376-378. https://journals.nuu.uz/index.php/actanuuz/article/view/14800
BibTeX
@article{article2026,
  title = {OBTAINING ULTRATHIN CONTACTS ON THE SURFACE OF BINARY SEMICONDUCTORS},
  author = {АБДУВАИТОВ, Акбаржон and ТАШМУХАМЕДОВА, Дилноза and БОЛТАЕВ, Хуршид and УМИРЗАКОВ, Балтоходжа},
  journal = {Ўзбекистон Миллий университети хабарлари},
  year = {2026},
  volume = {3},
  number = {3.2},
  pages = {376-378},
  url = {https://journals.nuu.uz/index.php/actanuuz/article/view/14800}
}

Boshqa maqola uchun iqtibos tayyorlash

Ўзбекистон Миллий университети хабарлари jurnalidan boshqa maqolalar

Ўзбекистон Миллий университети хабарлари — barcha maqolalar · 2026-yil arxivi

Fizika-matematika sohasidagi boshqa maqolalar

Fizika-matematika sohasidagi OAK jurnallari