ВЫРАЩИВАНИЕ И СТРУКТУРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКCИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ТВЕРДОГО РАСТВОРА Si1-xGex

А.С. Саидов, А Ш Раззоков

Samarqand davlat universiteti ilmiy tadqiqotlar axborotnomasi · 2020-yil

Annotatsiya

В статье показан выбор оптимального режима технологического процесса роста эпитаксиальных слоев твердых растворов Si1-xGex из оловянного и галлиевого раствора – расплава на подложку Si, с наименьшими плотностями дислокации, которые достигнуты экспериментально нами. Обнаружена экспоненциальная зависимость между величинами плотности дислокации и толщины плёнки. С плавным переменным составом структуры, избегая от разности параметров решеток Si и Ge получены структурно совершённые эпитаксиальные слои Si1-xGex (0

Maqola ma’lumotlari
MualliflarА.С. Саидов, А Ш Раззоков
JurnalSamarqand davlat universiteti ilmiy tadqiqotlar axborotnomasi
Nashr sanasi2020-04-11
Jild3
Son121/1
Betlar1-10
Tilru
DOI10.59251/2181-1296.v3.1211.1132

Samarqand davlat universiteti ilmiy tadqiqotlar axborotnomasi jurnalidan boshqa maqolalar

Samarqand davlat universiteti ilmiy tadqiqotlar axborotnomasi — barcha maqolalar